INCAR

System= fcc Si

ISTART=0 # 是否读取WAEVCAR 一般1为FLexible (3: reset abinitio MD calc)

ICAHRG=2 #控制如何做电荷的初猜

ENCUT=240 #PW cutoff energy 一般400 eV对表面科学足够了，在优化晶胞或做高精度计算时候需要提高这个，默认用POTCAR给出的建议范围最大值（largest ENMAX on the POTCAR）

ISMEAR=0 #如何加弥散，处理分数占据轨道(连续化原本阶跃的占据函数（占据/非占据），对金属体系很重要)

• 注意这里由于分数占据会引入额外的混乱度，会引入电子熵S，F[n]=E[n]-TS （最终计算的能量不包含此项，OUTCAR中的entropy不是热力学的振动导致的熵）

SIGMA=0.1 #弥散的展宽

• 建议取值：（from Vasp Mannul）

  • For Metal: ISMEAR=1, SIGMA=0.2 (注意：entropy term should be less than 1 meV per atom) 检查时候可以使用这个命令：“grep ‘entropy T’ OUTCAR”再和0.001 eV比较，小于则SIGMA值可以，不对需要减小SIGMA
  • For Insulator or SMs: ISMEAR=0, SIGMA=0.05
  • DOS计算或高精度的能量计算：ISMEAR=-5 SIGMA不设定 （定性分析 ISMEAR=0也可以）
  • A) 对于半导体和绝缘体体系,ISMEAR的值取绝对不能大于0, 一般用0, B)对所有体系,更加精确的时候用-5, C)对于所有K点数目小于3的计算,不能用ISMEAR = -5。为什么呢?因为会出错。 D) K 点少,还是半导体或者绝缘体,那么只能用 ISMEAR = 0。 E) 对于金属来说,ISMEAR的取值一般为1。 F) 保守地说,ISMEAR = 0(Gaussian Smearing) 可以满足大部分的体系(金属,导体,半导体,分子), G) 在DOS能带计算中,使用ISMEAR= -5 用于获取精确的信息
  • 分子计算：ISMEAR=0，SIGMA=0.01

• 去繁就简，simple is best

• Keywords = parameter
• Mannul is the beginning of the world, but wiki is the New World